Ученые достигли прорыва в области сверхпроводимости на основе германия

Германий, играющий ключевую роль в полупроводниковой индустрии, стал основой для первых транзисторов и микросхем. С начала 60-х его популярность снизилась из-за появления кремния, однако новое исследование может вернуть его в центр внимания. Команда ученых из Нью-Йоркского университета, преодолевшая десятилетия исследований, смогла решить проблему нестабильности кристаллической решетки германия. Их работа опубликована в журнале Nature Nanotechnology. Используя молекулярно-лучевую эпитаксию, исследователи внедрили атомы галлия в кристаллическую решетку германия, что привело к контролируемой деформации, сохранившей стабильность и обеспечившей сверхпроводящие свойства при температуре около 3,5 К. Открытие обещает революцию в полупроводниковых технологиях, открывая путь к созданию квантовых устройств и криогенной электроники.