Intel и Imec представляют технологию 2D-транзисторов для массового производства

2D-транзисторы, созданные на основе двумерных материалов, находились в разработке более десяти лет, но до сих пор не подходили для массового производства. На этой неделе Intel Foundry и Imec представили технологию 2D-полевых транзисторов (2DFET), готовую для 300-мм производства. Современные технологии, такие как Intel 18A и TSMC N2, опираются на транзисторы с затвором, окружающим канал, но CFET становятся новым направлением для увеличения плотности. Intel и Imec разработали интеграцию контактных и затворных структур, что позволяет производить 2D-транзисторы с низким сопротивлением. Хотя эта технология нацелена на долгосрочную перспективу, ее применение может начаться не раньше 2030-х годов. Intel Foundry акцентирует внимание на важности исследований, которые помогут снизить риски при разработке новых микросхем.